"ಅರೆವಾಹಕಗಳು" ಆವೃತ್ತಿಗಳ ಮಧ್ಯದ ಬದಲಾವಣೆಗಳು
Jump to navigation
Jump to search
KOER admin (ಚರ್ಚೆ | ಕಾಣಿಕೆಗಳು) ಚು (Text replacement - "|Flash]]</mm>" to "]]") |
|||
| (೧೪ intermediate revisions by ೨ users not shown) | |||
| ೨೬ ನೇ ಸಾಲು: | ೨೬ ನೇ ಸಾಲು: | ||
=ಪರಿಕಲ್ಪನಾ ನಕ್ಷೆ = | =ಪರಿಕಲ್ಪನಾ ನಕ್ಷೆ = | ||
| − | + | [[File:electronics.mm]] | |
=ಮತ್ತಷ್ಟು ಮಾಹಿತಿ = | =ಮತ್ತಷ್ಟು ಮಾಹಿತಿ = | ||
| ೩೨ ನೇ ಸಾಲು: | ೩೨ ನೇ ಸಾಲು: | ||
== ಎನ್ ಸಿ ಈ ಆರ್ ಟಿ ಪಠ್ಯಪುಸ್ತಕಗಳಲ್ಲಿ ಚರ್ಚಿಸಿರುವ ವಿಷಯಗಳ ಹರಿವು== | == ಎನ್ ಸಿ ಈ ಆರ್ ಟಿ ಪಠ್ಯಪುಸ್ತಕಗಳಲ್ಲಿ ಚರ್ಚಿಸಿರುವ ವಿಷಯಗಳ ಹರಿವು== | ||
==ಉಪಯುಕ್ತ ವೆಬ್ ಸೈಟ್ ಗಳು== | ==ಉಪಯುಕ್ತ ವೆಬ್ ಸೈಟ್ ಗಳು== | ||
| + | [https://en.wikipedia.org/wiki/Semiconductor https://en.wikipedia.org/wiki/Semiconductor] | ||
| + | |||
==ಸಂಬಂಧ ಪುಸ್ತಕಗಳು == | ==ಸಂಬಂಧ ಪುಸ್ತಕಗಳು == | ||
| ೪೨ ನೇ ಸಾಲು: | ೪೪ ನೇ ಸಾಲು: | ||
ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಎನ್ನುವ ಪದವು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಎನ್ನುವ ಪದದಿಂದ ಉತ್ಪತಿ ಅಗಿದೆ. ಮೊದಲು ಇದನ್ನು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿನ ಸ್ವಭಾವ ಹಾಗೂ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಚಲನೆ ವಿವರಿಸಲು ಉಪಯೋಗಿಸಲಾಯಿತು. | ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಎನ್ನುವ ಪದವು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಎನ್ನುವ ಪದದಿಂದ ಉತ್ಪತಿ ಅಗಿದೆ. ಮೊದಲು ಇದನ್ನು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿನ ಸ್ವಭಾವ ಹಾಗೂ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಚಲನೆ ವಿವರಿಸಲು ಉಪಯೋಗಿಸಲಾಯಿತು. | ||
ಇಂದು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ವಿ‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍ಷಯ ಮುಂದುವರಿದು ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ತಂತ್ರಜ್ನಾನ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿಯೂ ವಿಸ್ತರಗೂಂಡಿದೆ. | ಇಂದು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ವಿ‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍ಷಯ ಮುಂದುವರಿದು ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ತಂತ್ರಜ್ನಾನ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿಯೂ ವಿಸ್ತರಗೂಂಡಿದೆ. | ||
| − | [https://www.google.co.in/url?sa=i&rct=j&q=&esrc=s&source=images&cd=&cad=rja&uact=8&docid=vwgBa0pV194i6M&tbnid=ojjDCOGFoy4imM:&ved=0CAUQjRw&url=http%3A%2F%2Fwww.dreamstime.com%2Fstock-image-electronic-devices-image22552221&ei=QkvTU9zQI5OKuAS4zYHQCA&bvm=bv.71778758,d.c2E&psig=AFQjCNG8BukXztTjTbMBVU4t0AKn1kJe0A&ust=1406441626378027 | + | [https://www.google.co.in/url?sa=i&rct=j&q=&esrc=s&source=images&cd=&cad=rja&uact=8&docid=vwgBa0pV194i6M&tbnid=ojjDCOGFoy4imM:&ved=0CAUQjRw&url=http%3A%2F%2Fwww.dreamstime.com%2Fstock-image-electronic-devices-image22552221&ei=QkvTU9zQI5OKuAS4zYHQCA&bvm=bv.71778758,d.c2E&psig=AFQjCNG8BukXztTjTbMBVU4t0AKn1kJe0A&ust=1406441626378027 ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸಾಧನಗಳನು ನೋಡಲು ಇಲ್ಲಿ ಕ್ಲಿಕಿಸಿ] |
===ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #=== | ===ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #=== | ||
| ೫೮ ನೇ ಸಾಲು: | ೬೦ ನೇ ಸಾಲು: | ||
|- | |- | ||
|1. ತಮ್ಮ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯು ತ್ ನ್ನು ಪ್ರವಹಿಸಲು ಬಿಡುವುದಿಲ್ಲ. | |1. ತಮ್ಮ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯು ತ್ ನ್ನು ಪ್ರವಹಿಸಲು ಬಿಡುವುದಿಲ್ಲ. | ||
| − | 2.ಇವು ಹೆಚ್ಚು ರೋಧವನ್ನು ಹೂಂದಿರುತ್ತವೆ. | + | 2.ಇವು ಹೆಚ್ಚು ರೋಧವನ್ನು ಹೂಂದಿರುತ್ತವೆ.<br> |
| − | 3.ತಾಪ ಬದಲಾದರು ರೋಧದಲಿ ಯಾವುದೇ ಬದಲಾವಣೆ ಇಲ್ಲ. | + | 3.ತಾಪ ಬದಲಾದರು ರೋಧದಲಿ ಯಾವುದೇ ಬದಲಾವಣೆ ಇಲ್ಲ.<br> |
4.ಉದಾ: ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ , ಗ್ಲಾಸ್, ಪೇಪರ್ ಇತ್ಯಾದಿ. | 4.ಉದಾ: ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ , ಗ್ಲಾಸ್, ಪೇಪರ್ ಇತ್ಯಾದಿ. | ||
| − | |1.ಇವು ತಮ್ಮ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತನ್ನು ಪ್ರವಹಿಸಲು ಬಿಡುತ್ತದೆ . | + | |1.ಇವು ತಮ್ಮ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತನ್ನು ಪ್ರವಹಿಸಲು ಬಿಡುತ್ತದೆ .<br> |
| − | 2.ಇವುಗಳ ವಾಹಕತೆ ಅತೀ ಹೆಚ್ಚು | + | 2.ಇವುಗಳ ವಾಹಕತೆ ಅತೀ ಹೆಚ್ಚು <br> |
| − | 3.ಬಿಸಿಯಾದಾಗ ರೋಧ ಹೆಚ್ಚುತ್ತದೆ. | + | 3.ಬಿಸಿಯಾದಾಗ ರೋಧ ಹೆಚ್ಚುತ್ತದೆ.<br> |
4.ಉದಾ: ತಾಮ್ರ,ಬೆಳ್ಳಿ (ಎಲ್ಲಾ ಲೋಹಗಳು) ಇತ್ಯಾದಿ. | 4.ಉದಾ: ತಾಮ್ರ,ಬೆಳ್ಳಿ (ಎಲ್ಲಾ ಲೋಹಗಳು) ಇತ್ಯಾದಿ. | ||
| − | |1.ಇವುಗಳ ವಾಹಕತ್ವ ನಿರೋಧಕ ಮತ್ತು ವಾಹಕಗಳ ನಡುವೆ ಇರುತ್ತದೆ. | + | |1.ಇವುಗಳ ವಾಹಕತ್ವ ನಿರೋಧಕ ಮತ್ತು ವಾಹಕಗಳ ನಡುವೆ ಇರುತ್ತದೆ.<br> |
| − | 2.ವಾಹಕತೆಯು ಅತೀ ಕಡಿಮೆ, ರೋಧವು ವಾಹಕಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು. | + | 2.ವಾಹಕತೆಯು ಅತೀ ಕಡಿಮೆ, ರೋಧವು ವಾಹಕಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು.<br> |
| − | 3.ಬಿಸಿಯಾದಾಗ ರೋಧ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. | + | 3.ಬಿಸಿಯಾದಾಗ ರೋಧ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ.<br> |
4.ಉದಾ: ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ | 4.ಉದಾ: ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ | ||
|} | |} | ||
===ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #=== | ===ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #=== | ||
| − | # [[ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂ 1,'' | + | # [[ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂ 1,'' "]] |
==ಪರಿಕಲ್ಪನೆ #3 ಅರೆವಾಹಕಗಳ ವಾಹಕತ್ವ ಮತ್ತು ವಿಧಗಳು (ಶುದ್ಧ ಮತ್ತು ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಕಗಳು)== | ==ಪರಿಕಲ್ಪನೆ #3 ಅರೆವಾಹಕಗಳ ವಾಹಕತ್ವ ಮತ್ತು ವಿಧಗಳು (ಶುದ್ಧ ಮತ್ತು ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಕಗಳು)== | ||
===ಕಲಿಕೆಯ ಉದ್ದೇಶಗಳು=== | ===ಕಲಿಕೆಯ ಉದ್ದೇಶಗಳು=== | ||
| ೮೦ ನೇ ಸಾಲು: | ೮೨ ನೇ ಸಾಲು: | ||
|ಅರೆವಾಹಕಗಳ ವಾಹಕತ್ವ | |ಅರೆವಾಹಕಗಳ ವಾಹಕತ್ವ | ||
|- | |- | ||
| − | |1.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಪರಮಾಣುಗಳ ಅತೀ ಹೂರಗಿನ ಕವಚದಲ್ಲಿ ನಾಲ್ಕು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಿವೆ ಈ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಕೋವೇಲೆಂಟ್ ಬಂಧಗಳಿಗೆ ಒಳಪಟ್ಟಿರುವುದರಿಂದ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿಲ್ಲ . | + | |1.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಪರಮಾಣುಗಳ ಅತೀ ಹೂರಗಿನ ಕವಚದಲ್ಲಿ ನಾಲ್ಕು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಿವೆ ಈ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಕೋವೇಲೆಂಟ್ ಬಂಧಗಳಿಗೆ ಒಳಪಟ್ಟಿರುವುದರಿಂದ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿಲ್ಲ .<br> |
2.ಸೊನ್ನೆ ಡಿಗ್ರಿ ತಾಪದಲ್ಲಿ ಅವಾಹಕತ್ವ ಪಡೆದಿರುತ್ತವೆ. | 2.ಸೊನ್ನೆ ಡಿಗ್ರಿ ತಾಪದಲ್ಲಿ ಅವಾಹಕತ್ವ ಪಡೆದಿರುತ್ತವೆ. | ||
| − | |1.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯ ತಾಪದಲ್ಲಿಯೂ ಸಾಕಷ್ಟು ಸಂಖ್ಯೆಯ ಎಲೆಕ್ಟಾನುಗಳು ಕೋವೇಲೆಂಟ್ ಬಂಧಗಳಿಂದ ವಿಯೋಜಿಸಲ್ಪಡುವುದರ ಮೂಲಕ ವಾಹಕತ್ವನ್ನು ಪಡೆಯುತ್ತವೆ. | + | |1.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯ ತಾಪದಲ್ಲಿಯೂ ಸಾಕಷ್ಟು ಸಂಖ್ಯೆಯ ಎಲೆಕ್ಟಾನುಗಳು ಕೋವೇಲೆಂಟ್ ಬಂಧಗಳಿಂದ ವಿಯೋಜಿಸಲ್ಪಡುವುದರ ಮೂಲಕ ವಾಹಕತ್ವನ್ನು ಪಡೆಯುತ್ತವೆ.<br> |
2.ತಾಪ ಹೆಚ್ಚದಂತೆ ವಾಹಕತ್ವ ಹೆಚ್ಚುತದೆ. | 2.ತಾಪ ಹೆಚ್ಚದಂತೆ ವಾಹಕತ್ವ ಹೆಚ್ಚುತದೆ. | ||
|} | |} | ||
====ಶುದ್ಧ ಮತ್ತು ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಕಗಳು==== | ====ಶುದ್ಧ ಮತ್ತು ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಕಗಳು==== | ||
| + | {{#widget:YouTube|id=o-PPbmMm0eA}} | ||
{|class="wikitable" | {|class="wikitable" | ||
|- | |- | ||
| ೯೧ ನೇ ಸಾಲು: | ೯೪ ನೇ ಸಾಲು: | ||
|ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕ | |ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕ | ||
|- | |- | ||
| − | |1. ಇವು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಧಾತುಗಳ ಪರಿಶುದ್ಧ ಹರಳುಗಳಿಂದುಂಟಾಗುತ್ತದೆ | + | |1. ಇವು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಧಾತುಗಳ ಪರಿಶುದ್ಧ ಹರಳುಗಳಿಂದುಂಟಾಗುತ್ತದೆ<br> |
| − | 2. ಇಕ್ಟ್ರಾಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಹಾಗೂ ರಂಧ್ರಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಪರಸ್ಪರ ಸಮ | + | 2. ಇಕ್ಟ್ರಾಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಹಾಗೂ ರಂಧ್ರಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಪರಸ್ಪರ ಸಮ.<br> |
3. ne = n h | 3. ne = n h | ||
| − | |1. ಶುದ್ಧ ಅರಎವಾಹಕಗಳಿಗೆ ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಇತರೆ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಬೆರಕೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ | + | |1. ಶುದ್ಧ ಅರಎವಾಹಕಗಳಿಗೆ ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಇತರೆ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಬೆರಕೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ.<br> |
| − | 2. ಇಕ್ಟ್ರಾಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಹಾಗೂ ರಂಧ್ರಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಸಮವಾಗಿರುವುದಿಲ್ಲ | + | 2. ಇಕ್ಟ್ರಾಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಹಾಗೂ ರಂಧ್ರಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಸಮವಾಗಿರುವುದಿಲ್ಲ <br> |
3. ne /=n h | 3. ne /=n h | ||
|} | |} | ||
| + | |||
===ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #=== | ===ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #=== | ||
# [[ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂ 1,'' ಸಂಪರ್ಕ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುವ ವೀಡಿಯೊ "]] | # [[ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂ 1,'' ಸಂಪರ್ಕ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುವ ವೀಡಿಯೊ "]] | ||
| ೧೦೮ ನೇ ಸಾಲು: | ೧೧೨ ನೇ ಸಾಲು: | ||
|p-ರೀತ ಅರೆವಾಹಕ | |p-ರೀತ ಅರೆವಾಹಕ | ||
|- | |- | ||
| − | |1. ರಂಜಕ, ಆರ್ಸೆನಿಕ್, ಆಂಟಿಮನಿ ಯಂತಹ ಪಂಚವೇಲೆನ್ಸಿ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಡೋಪಿಂಗ್ ಮಾಡಿದಾಗ ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ | + | |1. ರಂಜಕ, ಆರ್ಸೆನಿಕ್, ಆಂಟಿಮನಿ ಯಂತಹ ಪಂಚವೇಲೆನ್ಸಿ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಡೋಪಿಂಗ್ ಮಾಡಿದಾಗ ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ.<br> |
| − | 2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳು ಹಾಗೂ ಕಡಿಮೆ ಸಂಖ್ಯೆಯ ರಂಧ್ರಗಳಿಂದ ವಾಹಕತೆ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ | + | 2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳು ಹಾಗೂ ಕಡಿಮೆ ಸಂಖ್ಯೆಯ ರಂಧ್ರಗಳಿಂದ ವಾಹಕತೆ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ. |
| − | |1. ಬೋರಾನ್, ಅಲ್ಯುಮಿನಿಯಂ, ಗ್ಯಾಲಿಯಂ, ಇಂಡಿಯಂ ನಂತಹ ತ್ರಿವೇಲೆನ್ಸಿ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸಿದಾಗ ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ. | + | |1. ಬೋರಾನ್, ಅಲ್ಯುಮಿನಿಯಂ, ಗ್ಯಾಲಿಯಂ, ಇಂಡಿಯಂ ನಂತಹ ತ್ರಿವೇಲೆನ್ಸಿ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸಿದಾಗ ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ.<br> |
2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ರಂಧ್ರಗಳು ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಇಲಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳಿಂದ ವಾಹಕತೆ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ. | 2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ರಂಧ್ರಗಳು ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಇಲಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳಿಂದ ವಾಹಕತೆ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ. | ||
|} | |} | ||
| ೧೨೨ ನೇ ಸಾಲು: | ೧೨೬ ನೇ ಸಾಲು: | ||
ಇದರ ವಿಭವಾಂತರವನ್ನು ಜಂಕ್ಷನ್ ವಿಭವ ಎನ್ನುವರು. | ಇದರ ವಿಭವಾಂತರವನ್ನು ಜಂಕ್ಷನ್ ವಿಭವ ಎನ್ನುವರು. | ||
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡಯೋಡ್ ನ ವಿಭಾಂತರ ೦.೭ವೋಲ್ಟ್ ಗಳು ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ನ ವಿಭವಾಂತರ ೦.೩ ವೋಲ್ಟ್ | ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡಯೋಡ್ ನ ವಿಭಾಂತರ ೦.೭ವೋಲ್ಟ್ ಗಳು ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ನ ವಿಭವಾಂತರ ೦.೩ ವೋಲ್ಟ್ | ||
| + | ====p-n ಜಂಕ್ಷನ್ ಡಯೊಡ್ ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ವೀಡಿಯೊಗಳು==== | ||
| + | {{#widget:YouTube|id=W6QUEq0nUH8}} | ||
| + | |||
| + | # [[ಚಟುವಟಿಕೆ,'' p-n ಜಂಕ್ಷನ್ ಡಯೊಡ್ ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೀಡಿಯೊಗಳು "]] | ||
| + | |||
====ಡೈಯೋಡುಗಳ ಮುನ್ನಡೆ ಮತ್ತು ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ==== | ====ಡೈಯೋಡುಗಳ ಮುನ್ನಡೆ ಮತ್ತು ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ==== | ||
{|class="wikitable" | {|class="wikitable" | ||
| ೧೨೮ ನೇ ಸಾಲು: | ೧೩೭ ನೇ ಸಾಲು: | ||
|ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ | |ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ | ||
|- | |- | ||
| − | |1.ಒಂದು ವಿದ್ಯುತ್ಕೋಶದ ಧನ ತುದಿಯನ್ನು p-n ಜಂಕ್ಷನ್ನಿನ p ಬದಿಗೂ ಮತ್ತು ಋಣ ತುದಿಯನ್ನು n ಬದಿಗೂ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಅದು ಮುನ್ನಡೆ ಓಲುಮೆ . | + | |1.ಒಂದು ವಿದ್ಯುತ್ಕೋಶದ ಧನ ತುದಿಯನ್ನು p-n ಜಂಕ್ಷನ್ನಿನ p ಬದಿಗೂ ಮತ್ತು ಋಣ ತುದಿಯನ್ನು n ಬದಿಗೂ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಅದು ಮುನ್ನಡೆ ಓಲುಮೆ .<br> |
2.ಇದು ಅಲ್ಪರೋಧವನ್ನು ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ | 2.ಇದು ಅಲ್ಪರೋಧವನ್ನು ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ | ||
| − | |1. .ಒಂದು ವಿದ್ಯುತ್ಕೋಶದ ಧನ ತುದಿಯನ್ನು p-n ಜಂಕ್ಷನ್ನಿನ n ಬದಿಗೂ ಮತ್ತು ಋಣ ತುದಿಯನ್ನು p ಬದಿಗೂ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಅದು ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ . | + | |1. .ಒಂದು ವಿದ್ಯುತ್ಕೋಶದ ಧನ ತುದಿಯನ್ನು p-n ಜಂಕ್ಷನ್ನಿನ n ಬದಿಗೂ ಮತ್ತು ಋಣ ತುದಿಯನ್ನು p ಬದಿಗೂ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಅದು ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ .<br> |
2. ಇದು ಅಧಿಕ ರೋಧವನ್ನು ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ. | 2. ಇದು ಅಧಿಕ ರೋಧವನ್ನು ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ. | ||
|} | |} | ||
| + | |||
===ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #=== | ===ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #=== | ||
# [[ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂ 1,'' ಸಂಪರ್ಕ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುವ ವೀಡಿಯೊ "]] | # [[ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂ 1,'' ಸಂಪರ್ಕ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುವ ವೀಡಿಯೊ "]] | ||
೧೦:೧೯, ೬ ನವೆಂಬರ್ ೨೦೧೭ ದ ಇತ್ತೀಚಿನ ಆವೃತ್ತಿ
| ವಿಜ್ಞಾನದ ತತ್ವಶಾಸ್ತ್ರ |
ಸಂಪನ್ಮೂಲಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಬೇಕಾಗುವ ತಾಳೆಪಟ್ಟಿಗೆ ಇಲ್ಲಿ ಕ್ಲಿಕ್ಕಿಸಿ
ಪರಿಕಲ್ಪನಾ ನಕ್ಷೆ
ಮತ್ತಷ್ಟು ಮಾಹಿತಿ
ಎನ್ ಸಿ ಈ ಆರ್ ಟಿ ಪಠ್ಯಪುಸ್ತಕಗಳಲ್ಲಿ ಚರ್ಚಿಸಿರುವ ವಿಷಯಗಳ ಹರಿವು
ಉಪಯುಕ್ತ ವೆಬ್ ಸೈಟ್ ಗಳು
https://en.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
ಸಂಬಂಧ ಪುಸ್ತಕಗಳು
ಬೋಧನೆಯ ರೂಪುರೇಶಗಳು
ಪರಿಕಲ್ಪನೆ #1 ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸಾಧನಗಳ ಪರಿಚಯ
ಕಲಿಕೆಯ ಉದ್ದೇಶಗಳು
ವಿದ್ಯಾರ್ಥಗಳಲ್ಲಿ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸಾಧನಗಳ ಪರಿಚಯ ಮುಡಿಸುವುದು.
ಶಿಕ್ಷಕರಿಗೆ ಟಿಪ್ಪಣಿ
ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಎನ್ನುವ ಪದವು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಎನ್ನುವ ಪದದಿಂದ ಉತ್ಪತಿ ಅಗಿದೆ. ಮೊದಲು ಇದನ್ನು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿನ ಸ್ವಭಾವ ಹಾಗೂ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಚಲನೆ ವಿವರಿಸಲು ಉಪಯೋಗಿಸಲಾಯಿತು. ಇಂದು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ವಿ‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍ಷಯ ಮುಂದುವರಿದು ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ತಂತ್ರಜ್ನಾನ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿಯೂ ವಿಸ್ತರಗೂಂಡಿದೆ. ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸಾಧನಗಳನು ನೋಡಲು ಇಲ್ಲಿ ಕ್ಲಿಕಿಸಿ
ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #
- ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂ 1,'' ಸಂಪರ್ಕ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುವ ವೀಡಿಯೊ "
- ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂ 2,ಪರಿಕಲ್ಪನೆ ಹೆಸರು - ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂಖ್ಯೆ "
ಪರಿಕಲ್ಪನೆ #2 ನಿರೋಧಕ, ವಾಹಕ ಮತ್ತು ಅರೆವಾಹಕಗಳಿಗಿರುವ ವ್ಯತ್ಯಸ
ಕಲಿಕೆಯ ಉದ್ದೇಶಗಳು
ಶಿಕ್ಷಕರಿಗೆ ಟಿಪ್ಪಣಿ
| ನಿರೋಧಕಗಳು | ವಾಹಕಗಳು | ಅರೆವಾಹಕಗಳು |
| 1. ತಮ್ಮ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯು ತ್ ನ್ನು ಪ್ರವಹಿಸಲು ಬಿಡುವುದಿಲ್ಲ.
2.ಇವು ಹೆಚ್ಚು ರೋಧವನ್ನು ಹೂಂದಿರುತ್ತವೆ. |
1.ಇವು ತಮ್ಮ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತನ್ನು ಪ್ರವಹಿಸಲು ಬಿಡುತ್ತದೆ . 2.ಇವುಗಳ ವಾಹಕತೆ ಅತೀ ಹೆಚ್ಚು |
1.ಇವುಗಳ ವಾಹಕತ್ವ ನಿರೋಧಕ ಮತ್ತು ವಾಹಕಗಳ ನಡುವೆ ಇರುತ್ತದೆ. 2.ವಾಹಕತೆಯು ಅತೀ ಕಡಿಮೆ, ರೋಧವು ವಾಹಕಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು. |
ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #
ಪರಿಕಲ್ಪನೆ #3 ಅರೆವಾಹಕಗಳ ವಾಹಕತ್ವ ಮತ್ತು ವಿಧಗಳು (ಶುದ್ಧ ಮತ್ತು ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಕಗಳು)
ಕಲಿಕೆಯ ಉದ್ದೇಶಗಳು
ಶಿಕ್ಷಕರಿಗೆ ಟಿಪ್ಪಣಿ
| ಅರೆವಾಹಕಗಳ ಆವಾಹಕತ್ವ | ಅರೆವಾಹಕಗಳ ವಾಹಕತ್ವ |
| 1.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಪರಮಾಣುಗಳ ಅತೀ ಹೂರಗಿನ ಕವಚದಲ್ಲಿ ನಾಲ್ಕು ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಿವೆ ಈ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಕೋವೇಲೆಂಟ್ ಬಂಧಗಳಿಗೆ ಒಳಪಟ್ಟಿರುವುದರಿಂದ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿಲ್ಲ . 2.ಸೊನ್ನೆ ಡಿಗ್ರಿ ತಾಪದಲ್ಲಿ ಅವಾಹಕತ್ವ ಪಡೆದಿರುತ್ತವೆ. |
1.ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಮ್ ಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯ ತಾಪದಲ್ಲಿಯೂ ಸಾಕಷ್ಟು ಸಂಖ್ಯೆಯ ಎಲೆಕ್ಟಾನುಗಳು ಕೋವೇಲೆಂಟ್ ಬಂಧಗಳಿಂದ ವಿಯೋಜಿಸಲ್ಪಡುವುದರ ಮೂಲಕ ವಾಹಕತ್ವನ್ನು ಪಡೆಯುತ್ತವೆ. 2.ತಾಪ ಹೆಚ್ಚದಂತೆ ವಾಹಕತ್ವ ಹೆಚ್ಚುತದೆ. |
ಶುದ್ಧ ಮತ್ತು ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಕಗಳು
| ಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕ | ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕ |
| 1. ಇವು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಧಾತುಗಳ ಪರಿಶುದ್ಧ ಹರಳುಗಳಿಂದುಂಟಾಗುತ್ತದೆ 2. ಇಕ್ಟ್ರಾಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಹಾಗೂ ರಂಧ್ರಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಪರಸ್ಪರ ಸಮ. |
1. ಶುದ್ಧ ಅರಎವಾಹಕಗಳಿಗೆ ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಇತರೆ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಬೆರಕೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ. 2. ಇಕ್ಟ್ರಾಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಹಾಗೂ ರಂಧ್ರಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಸಮವಾಗಿರುವುದಿಲ್ಲ |
ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #
ಪರಿಕಲ್ಪನೆ #4 ಅಶುದ್ಧ ಅರೆವಾಹಕಗಳ ವಿಧಗಳು (n-ರೀತಿ ಮತ್ತು p-ರೀತಿ)
ಕಲಿಕೆಯ ಉದ್ದೇಶಗಳು
ಶಿಕ್ಷಕರಿಗೆ ಟಿಪ್ಪಣಿ
| n-ರೀತಿ ಅರೆವಾಹಕ | p-ರೀತ ಅರೆವಾಹಕ |
| 1. ರಂಜಕ, ಆರ್ಸೆನಿಕ್, ಆಂಟಿಮನಿ ಯಂತಹ ಪಂಚವೇಲೆನ್ಸಿ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಡೋಪಿಂಗ್ ಮಾಡಿದಾಗ ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ. 2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳು ಹಾಗೂ ಕಡಿಮೆ ಸಂಖ್ಯೆಯ ರಂಧ್ರಗಳಿಂದ ವಾಹಕತೆ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ. |
1. ಬೋರಾನ್, ಅಲ್ಯುಮಿನಿಯಂ, ಗ್ಯಾಲಿಯಂ, ಇಂಡಿಯಂ ನಂತಹ ತ್ರಿವೇಲೆನ್ಸಿ ಧಾತುಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸಿದಾಗ ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ. 2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ರಂಧ್ರಗಳು ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಇಲಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳಿಂದ ವಾಹಕತೆ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ. |
ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #
ಪರಿಕಲ್ಪನೆ #5 ಡೈಯೋಡುಗಳು , ಡೈಯೋಡುಗಳ ಮುನ್ನಡೆ ಮತ್ತು ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ,ಮತ್ತು ಡೈಯೋಡುಗಳ ಅನ್ವಯಗಳು.
ಕಲಿಕೆಯ ಉದ್ದೇಶಗಳು
ಶಿಕ್ಷಕರಿಗೆ ಟಿಪ್ಪಣಿ
ಒಂದು ಶುದ್ಧಅರೆವಾಹಕ ದ ಒಂದು ಭಾಗಕ್ಕೆ ದಾನಿ ಬೆರಕೆಯನ್ನು ಮತ್ತೊಂದು ಭಾಗಕ್ಕೆ ಸ್ವೀಕಾರಿ ಬೆರಕೆಯನ್ನಸು ಸೇರಿಸಿದಾಗ ಉಂಟಾಗುವ ಸಾಧನಕ್ಕೆ ಡಯೊಡ್ ಎನ್ನುವರು. ಮೊದಲ ಭಾಗವು n-ರೀತಿ ಮತ್ತು p-ರೀತಿಯ ಅರೆವಾಹಕವಾಗುತ್ತದೆ ಇದನ್ನು p-n ಜಂಕ್ಷನ್ ಡಯೊಡ್ ಅಥವಾ ಅರೆವಾಹಕ ಡಯೊಡ್ ಎನ್ನುವರು. ಇದರ ವಿಭವಾಂತರವನ್ನು ಜಂಕ್ಷನ್ ವಿಭವ ಎನ್ನುವರು. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡಯೋಡ್ ನ ವಿಭಾಂತರ ೦.೭ವೋಲ್ಟ್ ಗಳು ಮತ್ತು ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ನ ವಿಭವಾಂತರ ೦.೩ ವೋಲ್ಟ್
p-n ಜಂಕ್ಷನ್ ಡಯೊಡ್ ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ವೀಡಿಯೊಗಳು
ಡೈಯೋಡುಗಳ ಮುನ್ನಡೆ ಮತ್ತು ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ
| ಮುನ್ನದೆ ಓಲುಮೆ | ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ |
| 1.ಒಂದು ವಿದ್ಯುತ್ಕೋಶದ ಧನ ತುದಿಯನ್ನು p-n ಜಂಕ್ಷನ್ನಿನ p ಬದಿಗೂ ಮತ್ತು ಋಣ ತುದಿಯನ್ನು n ಬದಿಗೂ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಅದು ಮುನ್ನಡೆ ಓಲುಮೆ . 2.ಇದು ಅಲ್ಪರೋಧವನ್ನು ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ |
1. .ಒಂದು ವಿದ್ಯುತ್ಕೋಶದ ಧನ ತುದಿಯನ್ನು p-n ಜಂಕ್ಷನ್ನಿನ n ಬದಿಗೂ ಮತ್ತು ಋಣ ತುದಿಯನ್ನು p ಬದಿಗೂ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಅದು ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಓಲುಮೆ . 2. ಇದು ಅಧಿಕ ರೋಧವನ್ನು ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ. |
ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #
ಪರಿಕಲ್ಪನೆ #6 ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳು, ಮತ್ತು ವಿಧಗಳು n-p-n ಮತ್ತು p-n-p
ಕಲಿಕೆಯ ಉದ್ದೇಶಗಳು
ಶಿಕ್ಷಕರಿಗೆ ಟಿಪ್ಪಣಿ
ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #
ಪರಿಕಲ್ಪನೆ #7
ಕಲಿಕೆಯ ಉದ್ದೇಶಗಳು
ಶಿಕ್ಷಕರಿಗೆ ಟಿಪ್ಪಣಿ
ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #
ಪರಿಕಲ್ಪನೆಯ ಬಗ್ಗೆ, ಸ್ಥಳೀಯ ಸೂಕ್ತ ಮಾಹಿತಿ, ವಿಧಾನಗಳ ಬಗ್ಗೆ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಸೂಚನೆಗಳು ಮತ್ತು ಪರಿಕಲ್ಪನೆಯ ಬಗ್ಗೆ ತಪ್ಪು ಗ್ರಹಿಕೆಗಳು - ಇವುಗಳನ್ನು ಶಿಕ್ಷಕರಿಗೆ ಹಂಚಲು ಮಾಡಿರುವಂತಹ ಟಿಪ್ಪಣಿ
ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು #
- ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂ 1,ಪರಿಕಲ್ಪನೆ ಹೆಸರು - ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂಖ್ಯೆ "
- ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂ 2,ಪರಿಕಲ್ಪನೆ ಹೆಸರು - ಚಟುವಟಿಕೆ ಸಂಖ್ಯೆ "
ಸಿ.ಸಿ.ಇ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಚಟುವಟಿಕೆಗಳು
ಯೋಜನೆಗಳು
ಸಮುದಾಯ ಆಧಾರಿತ ಯೋಜನೆಗಳು
ಪಠ್ಯಪುಸ್ತಕದ ಬಗ್ಗೆ ಹಿಮ್ಮಾಹಿತಿ
ಪಠ್ಯಪುಸ್ತಕದಲ್ಲಿನ ಲೋಪ ದೋಷಗಳನ್ನು ಮತ್ತು ಸಲಹೆಗಳನ್ನು ಇಲ್ಲಿ ಸೇರಿಸಬಹುದು